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Circuitos integrados CMOS |
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Escrito por Jorge L. Jiménez A.
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CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.
- Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:
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Familia
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Rango de tensión
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Consumo potencia
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Velocidad
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estándar (4000)
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3 – 15 V
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10 mW
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20 a 300 ns
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serie 74C00
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3 – 15 V
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10 mW
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20 a 300 ns
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serie 74HC00
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3 – 15 V
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10 mW
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8 a 12 ns
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Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.
DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.
Estos daños pueden prevenirse:
- Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
- Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
- Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
- Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
- Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
- No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.
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Modificado el ( domingo, 30 de marzo de 2008 )
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