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Puente de H con Mosfet de potencia |
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Escrito por Jorge
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Este PUENTE de H utiliza transistores MOSFET principalmente para mejorar la eficiencia del puente.
A diferencia de los transistores bipolares, los transistores MOSFET poseen una resistencia entre Drenaje y Fuente (RDS) cuando son activados que rondan los 0.1 ohms (dependiendo del modelo).
Esto significa que en un ejemplo como el anterior y trabajando con una corriente de 4 amperes estaríamos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v en total), lo cual representa una notable mejora en el rendimiento del puente.
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Los MOSFETs trabajan mediante la aplicación de un voltaje en la Compuerta o Gate.
En este circuito trabajan dos tipos de MOSFET: N-Chanel (canal negativo – Q3 y Q5) y P-Chanel (canal positivo – Q2 y Q4). En el primer caso pasan a modo conducción (activado) mediante un voltaje positivo en la Compuerta y mediante un voltaje negativo para el segundo caso. |
IMPORTANTE: Los MOSFETs son extremadamente sensibles a las corrientes estáticas y además su compuerta no puede ser dejada sin conexión, ya que pueden llegar a destruirse.
La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de 10Mohm) y un simple ruido eléctrico puede activarlo.
Las resistencias R3, R4, R6 & R8 han sido adicionadas para evitar que el MOSFET se autodestruya. Estas resistencia permitirán un comportamiento estable del MOSFET y además agregarán una protección contra la estática.
D1 a D4 desvían los picos de tensión negativa provocados por los motores evitando que afecten a los transistores. Algunos MOSFET ya tiene estos diodos construidos internamente, por lo que pueden no ser necesarios.
Q1 y Q6 son transistores NPN que controlan el accionamiento del motor DC. |
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Modificado el ( lunes, 03 de diciembre de 2007 )
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Tesis de grado 
(57)(5) 374 4313
