CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.

Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia
Rango de tensión
Consumo potencia
Velocidad
estándar (4000)
3 – 15 V
10 mW
20 a 300 ns
serie 74C00
3 – 15 V
10 mW
20 a 300 ns
serie 74HC00
3 – 15 V
10 mW
8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS

La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.

DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS

Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.

Estos daños pueden prevenirse:

      • Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
      • Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
      • Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
      • Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
      • Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
      • No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.
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